Silikonový čipový substrát

Silikonový čipový substrát

Tato řada substrátů pro křemíkový čip je pečlivě navržena tak, aby poskytovala nekompromisní řešenístabilní platforma pro výrobu čipů. Podpora celého průmyslového spektra od2" (50 mm) až 12" (300 mm), tyto substráty fungují jako vysoce-čistý základ navržený tak, aby zachoval absolutní soudržnost mřížky i při nejintenzivnějších cyklech tepelného a chemického zpracování.

Podpora pro komplexní architektury zařízení:Substrát je speciálně navrženpodporují složité architektury zařízenívčetně vysoce{0}}hustotních CMOS, BiCMOS a pokročilých návrhů Power-MOSFET. Minimalizací intersticiálních fluktuací kyslíku a povrchových kovových nečistot zajišťuje materiál stabilní dielektrickou integritu hradla a konzistentní prahová napětí (Vth) napříč více-vrstvými logickými strukturami.

Přesnost-Přesnost zpracování: Výborná jednotnostv radiálním měrném odporu a sub{0}}mikronové variaci celkové tloušťky (TTV) významnězlepšuje přesnost zpracování. Tato geometrická přesnost je zásadní pro udržení stabilní hloubky--ostření (DOF) během pokročilé fotolitografie, snižuje zkreslení vzoru a zajišťuje vysoce-věrný přenos prvků v nanometrovém-měřítku.

Konzistence pro-výrobu ve velkém měřítku:Navrženo profungovat konzistentně v průmyslových podmínkách, naše substráty usnadňují bezproblémovou integraci do automatizované robotické manipulace a vysokovakuových{0}}depozičních systémů. Tato spolehlivost je děláideální pro-výrobu čipů ve velkém měřítku, která zajišťuje reprodukovatelnost šarží-k{1}}dávkám potřebnou ke stabilizaci-úrovně výnosu (WLY) a snížení celkových nákladů na vlastnictví (TCO) v globálních dodavatelských řetězcích.

Populární Tagy: křemíkový čipový substrát, Čína výrobci křemíkového čipového substrátu, dodavatelé, továrna