Silikonové epitaxní substráty

Silikonové epitaxní substráty

Tyto křemíkové epitaxní substráty jsou pečlivéurčený pro růst epitaxní vrstvy, která slouží jako vysoce{0}}čistá krystalická šablona pro pokročilou integraci zařízení Power and Logic. Naše substráty jsou navrženy pomocí přesného Czochralského (CZ) tahu a ultra-čistého leštění a zajišťují nekompromisní povrchové prostředí. Tato hladkost atomární-úrovně je základním požadavkem pro dosažení vysoce-kvalitní homoepitaxní a heteroepitaxní depozice v příští generaci polovodičů.

Optimalizovaný povrch pro vysoce{0}}kvalitní nanášení:Theřízená orientace povrchu a krystalujsou optimalizovány tak, aby poskytovaly ideální prostředí pro nukleaci. Přísným řízenímVypnuto-úhel řezu(chybná orientace) s přesností na miligramy usnadňujeme postupný-mechanismus růstu toku. To minimalizuje nesoulad mřížky a zabraňuje vzniku chyb při vrstvení a dislokací závitů, což je nezbytné pro stabilizaci elektrických charakteristik následné epi-vrstvy.

Řízený odpor pro izolaci zařízení:Tyto substráty jsou speciálně navrženy pro aplikace Power IC a Analogstabilní vlastnosti materiálus vysoce rovnoměrným profilem příměsi. To umožňuje přesnou kontrolu nad rozhraním substrátu-k-epi, zlepšuje izolaci zařízení a snižuje parazitní kapacitu ve vysoko-frekvenčních a-napěťových prostředích.

Vysoká{0}}čistota tepelná odolnost:Každý substrát se řídí pevnými tolerancemi pro intersticiální kyslík a kovové nečistoty, aby se zabránilo auto-dopingu a tepelně indukované deformaci. Jeho vynikající mechanická pevnostpodporuje více kroků zpracování s minimálními odchylkami, zachování geometrické věrnosti během vysokoteplotních{0}}cyklů CVD (Chemical Vapour Deposition) a rychlého tepelného zpracování (RTP).

Populární Tagy: křemíkové epitaxní substráty, Čína výrobci křemíkových epitaxních substrátů, dodavatelé, továrna