Silicon Process Base
Tato křemíková procesní základna je pečlivě navržena tak, aby fungovala jako astabilní výrobní platformapro pokročilou integraci elektronických zařízení. Podpora celého spektra od2" (50 mm) až 12" (300 mm), jsou tyto základy navrženy tak, aby poskytovaly-věrné rozhraní schopné vydržet i ty nejnáročnějšítepelné a mechanické krokyaniž by byla ohrožena strukturální nebo elektrická integrita.
Nekompromisní strukturální integrita:Základna je navržena tak, abyzachovat jeho integritu během výrobyodolává mikro-deformaci a sklouznutí mřížky i během vysokoteplotní difúze- a rychlého tepelného zpracování (RTP). Tato strukturální odolnost zajišťuje, že vícevrstvé zarovnání zůstane přesné, což je rozhodující pro vývoj logiky s vysokou-hustotou aPower IC (IGBT/MOSFET)architektury.
Minimální variace procesu:Spolehlivé chování materiálu je základním kamenem-výtěžnosti výroby. Náš proces je založen na zachování vysoce jednotného profilu radiálního odporu a minimalizaci intersticiálních nečistotsnížit neočekávané odchylkyv rychlostech leptání a nanášení tenkého- filmu. Tato konzistence umožňuje předvídatelnější procesní okno napříč různými výrobními šaržemi.
Kompatibilita se složitými trasami:Na míru prosložité cesty zpracování, základna bezproblémově funguje v rámci moderních automatizovaných sléváren. Jeho vynikající povrchová morfologie a profilování hran podporují dlouhodobou-stabilitu během chemické-mechanické planarizace (CMP) a iontové implantace, což zajišťuje, že hotové součásti splňují nejpřísnější normy spolehlivosti v automobilovém a průmyslovém odvětví.
