111 křemíkový plátek
Náš<111>Silicon Wafers jsou přizpůsobeny tak, aby splňovaly přísné požadavky specializovaných polovodičových aplikací, zejména tam, kde jsou jedinečné vlastnosti<111>krystalová orientace poskytuje kritické výhody. Díky rozsáhlé řadě možností přizpůsobení, pokud jde o průměr, tloušťku a měrný odpor, nabízejí tyto destičky výjimečnou přesnost a výkon, navržené tak, aby splňovaly specifické požadavky každého klienta.
- Rychlé dodání
- Zajištění kvality
- Zákaznický servis 24/7
Představení produktu
Přehled produktu
Náš<111>Silicon Wafers jsou přizpůsobeny tak, aby splňovaly přísné požadavky specializovaných polovodičových aplikací, zejména tam, kde jsou jedinečné vlastnosti<111>krystalová orientace poskytuje kritické výhody. Díky rozsáhlé řadě možností přizpůsobení, pokud jde o průměr, tloušťku a měrný odpor, nabízejí tyto destičky výjimečnou přesnost a výkon, navržené tak, aby splňovaly specifické požadavky každého klienta.



Klíčové vlastnosti
|
Orientace krystalu |
<111> |
|
Dostupné průměry |
2 palce, 3 palce, 4 palce, 5 palců, 6 palců, 8 palců, 12 palců |
|
Stupně kvality |
Prime / Test / Dummy |
|
Metody růstu |
CZ (Czochralski) / FZ (Float Zone) |
|
Typy dopantů |
P-typ (bor), N-typ (fosfor, arsen, antimon) |
|
Možnosti tloušťky |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, 775 μm, 925 μm a vlastní tloušťky na vyžádání |
|
Tolerance tloušťky |
Standardní ± 25 μm; Vysoká přesnost ± 5 μm |
|
Rozsah odporu |
0,001 až 100 ohm-cm |
|
Povrchové úpravy |
P/E (leštěné/leptané), P/P (leštěné/leštěné), E/E (leptané/leptané), G/G (broušené/broušené) |
|
Variace celkové tloušťky (TTV) |
Standardní < 10 μm; Pokročilé < 5 μm |
|
Luk/Warp |
Standardní < 40 μm; Pokročilé < 20 μm |
Populární Tagy: 111 silikonový plátek, Čína 111 výrobci silikonových plátků, dodavatelé, továrna
